丁跃趁着这段时间，与江南科技大学的周文教授、沈丛德教授和王尚忠教授三人，一起每天在物理半导体实验室中研制氮化镓半导体材料。
此前丁跃和三位教授联合发表了多篇关于夏国第三代半导体材料的论文，然后受到了国内诸多企业，甚至是上面的注意。
毕竟第三代半导体材料在国内如果可以实现的话，半导体领域将会有一个巨大的进步。
第三代半导体材料里面，氮化镓就是非常关键的一环。
相比起第一代半导体材料硅，以及第二代半导体材料砷化镓，第三代半导体材料氮化镓，将会在各方面都会有一个非常不错的提升。
现在。
丁跃与周文教授等人在氮化镓半导体材料技术上面的研究，已经到了一个非常关键的时刻。
从9月13日开始，一直到9月21日，连续八天的时间，除了吃饭睡觉休息，丁跃几乎每时每刻都和周文教授他们一直在实验室里面。
直到9月22日早上。
丁跃终于从实验室出来了，昨天晚上一整晚丁跃都在实验室里，周文教授、沈丛德教授和王尚忠教授他们由于年纪大了，凌晨三四点钟的时候回去休息了。
剩下的实验研制部分并不多，就全部交给丁跃来完成。
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